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Typical Characteristics
20
2
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
1.8
15
-4.0V
1.6
V GS = -4.5V
10
-3.5V
1.4
-5.0V
-6.0V
1.2
-7.0V
5
-3.0V
1
-8.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -4.0A
V GS = -10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.22
I D = -2.0A
0.18
0.14
T A = 125 o C
0.1
T A = 25 o C
0.06
0.02
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
15
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
V GS = 0V
12
9
125 o
1
0.1
T A = 125 o C
6
3
0
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
Si3457DV Rev A 1 (W)
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